WolfSpeed 1700 V MOSFET技术有助于重建辅助能源系统的
作者:365bet登录日期:2025/07/05 浏览:
低功率辅助饲料几乎可以在任何电动电气系统,快速充电器和可再生能源系统中使用。这些食物来源通常比主要阶段需要更少的关注,但是使系统有效工作的重要组成部分。它通过提高系统可靠性,降低系统规模和降低系统成本,同时最大程度地降低风险,从而接受了多个来源的收购。 MOSFET MOSFET产品产品范围的Wolfspeed C3M0900170X和E3M0900170X碳化硅MOSFET经汽车学位(AEC-Q101)认证,并提高20-200 W范围内的辅助电源的设计能力。这些快速市场越来越重要。信任可靠的技术De Wolfspeed第三代硅碳化物,并且仅在行业的200毫米制造厂中生产,该产品系列使工程师可以通过设计低容量支持能源系统来重新考虑如何解决薪酬。除了TO-247-3(d)和TO-263-7(J)软件包,Wolfspeed产品组合已向3PF(M)添加了一个新的完全模制包装,以接纳工业应用。该软件包通过避免使用孤立的热接口材料来降低组装成本和错误风险。此外,TO-3PF(M)封装将最小引脚提高到4.85毫米,避免了裸露的排水板,从而改善了在敌对环境中产品的稳健性。 Wolfspeed C3M和E3M SIC MOSFET对其先前的C2M 1700 V系列及其竞争对手带来了一些改进。随着C3M/E3M系列最近推出,门负载从C2M中的22 NC减少到单个NC,从而减少了门单元的功率要求,并简化了起始功率启动操作。此外,输出电容降低,将EOSS降低30%并变化损失。在系统级别的改进实施并不总是那么容易,因为设计更改需要时间和资源。最低点补充剂以辅助功率设计存在,这是900mΩ硅碳化物MOSFET的新型WolfSpeed系列是插件和播放的兼容性,这使您可以充分利用新设备而无需重新设计。从包装的角度来看,TO-247-3(通过孔套件)和TO-263-7(表面支撑)与当今市场上其他硅和硅碳化物设备兼容,而无需更改PCB设计或散热器配件。许多辅助食品来源都有12-15 V的D型,用于执行其他控件或负载。 C3M/E3M系列可以直接使用该电压导轨来进行返回控制器和最终的门电压,从而在不使用辅助绕组或单独的变压器的情况下提供了前几代和某些竞争对手需要的最大18-20 V。硅和碳化物硅MOSFET的竞争门的电压从12 V到20 V,加剧了多个来源设计师的挑战。 Fortunat伊利(Ely),Wolfspeed系列C3M0900170X可以直接录取12-18 VG。多亏了优化和调整的内门电阻,Wolfspeed设备可与高达22 VG的电路条件一起使用。对于18 V设计中的门电压,使用齐纳二极管,而不是外门阻力,以降低驱动器到12-18 V范围的电压。使用3.3 V Zener二极管放置RG_EXT,以减少使用Mosfet门更新V时的性能改进。缺点是每单位1-2Ω设备的高RD(ON)意味着价格更昂贵,损失更高。相反,您可以使用双开关返回拓扑来选择较小的电压硅设备。尽管这种设备是经济的,但双开关拓扑的设计更为复杂,需要更多的组件和空间。碳化硅MOSFET是这些电压水平的理想选择,并且在辅助能源应用中很容易获得低(ON)和低切换损耗。设计师消除了其他C双开关设计所需的Ircuits和设计复杂性。它可以利用单个开关方向盘拓扑。双开关拓扑需要更多的组件,设计简化的单个开关的单个PCB区域的单个开关由硅碳化物MOSFETS节省空间和成本。所有应用程序的耐用设计是许多工业和汽车应用中需要长寿和可靠运行的辅助食品来源。 C3M/E3M系列被分类用于-5°C A +175°C的温度运行,因此适用于极端温度条件。 C3M0900170D,C3M0900170J和E3M0900170D,均在85%水分的测试条件下批准了THB-80(HV-H3TRB)测试。在讨论半导体在各种应用中的抗性时,应考虑由空间辐射引起的故障效率(调整)。 Wolfspeed C3M/E3M系列进一步降低了最古老的C2M的失败效率(调整)通过改进设备设计并减少芯片的尺寸来进行系列。与吉普车的整洁相比,使用狼速度的速度1200 V 400 V 400 V总线电压电路,第三代设备电压电路将故障效率(调整)降低了65%,在海平面连续运行10年后。 Wolfspeed是启动SIC Systems开发的设计资源,是工程师的领先行业设计支持提供商,最近启动了1700 V系列组件。要使用新的C3M/E3M900MΩ1700V设备加速其设计,请参见以下资源:
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